應材表示，隨著AI模型規模擴大，資料運算與傳輸需求激增，記憶體頻寬與容量的提升速度逐漸難以追趕運算需求，因而面臨「記憶體牆（Memory Wall）」的限制。這項挑戰加速了高頻寬記憶體（HBM）及3D堆疊等先進封裝架構的普及，但也顯著拉高了製程複雜度。應材憑藉在先進封裝、製程控制及DRAM領域的技術組合，協助客戶以更快的速度與更高的良率將新一代AI晶片導入量產。
在記憶體技術創新方面，應材將過去用於先進邏輯製程的邏輯晶片等級磊晶技術，導入次世代DRAM周邊電路電晶體。最新推出的升級版Centura Prime Epi磊晶系統，能夠在源極與汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺與磷化矽，並透過先進應變工程與精準摻雜控制技術提升驅動電流及電晶體效率，實現更快速、更節能的DRAM運作，滿足高頻寬記憶體及下一代DDR對頻寬的需求。此外，該系統的占地面積縮小了20%，有助於提升晶圓廠的設備配置密度並加速擴充產能。應材半導體產品事業群總裁帕布‧若傑指出，隨著DRAM持續微縮，邏輯與記憶體製程技術的界線正逐漸融合，應材正引領這場技術轉型。
針對先進封裝最關鍵的製程，應材則推出了三款全新系統，以解決3D堆疊架構中多晶粒整合與高頻寬記憶體垂直堆疊的挑戰。首先是專為先進封裝打造的Opta Quad CMP化學機械平坦化系統，該平台能在研磨過程中持續監測晶圓狀態並即時調整參數，提供卓越的表面平整度控制，這對需要完美平整表面的混合鍵合（Hybrid Bonding）新興3D堆疊技術尤為關鍵。其次是Nokota Vmax 2電化學沉積（ECD）系統，其導入自適應圖案化調校技術（APT），能動態調控電場分布以修正製程變異，確保整片晶圓上的矽穿孔與微凸塊具有高度一致性，解決因互連結構高度不一導致的接合可靠性問題。第三款為Producer Avila 2 PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統，它能在矽穿孔周圍沉積應力平衡的介電薄膜，強化超薄DRAM晶粒的機械穩定性，有效抑制晶粒薄化後的翹曲與變形，進而支援12層、16層及未來更高堆疊層數的可靠設計。
隨著先進封裝元件尺寸縮小至光學檢測的解析極限，封裝廠也面臨更嚴苛的缺陷檢測與量測挑戰。應材為此將晶圓廠等級的電子束（E-beam）技術導入先進封裝，推出兩款全新量測與分析系統。VeritySEM 7AP關鍵尺寸量測系統專為高頻寬記憶體及晶粒化架構中常見的厚型、異質及高翹曲基板設計，具備次10奈米等級的自動化量測靈敏度，遠優於傳統光學設備。另一款SEMVision G7AP缺陷分析系統則是業界領先的電子束缺陷複檢平台，能針對矽、有機材料及玻璃等多元基板提供高解析度缺陷複檢與自動分類能力，協助客戶快速區分關鍵缺陷與雜訊訊號。
應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理基斯・威爾斯強調，隨著封裝結構持續微縮，封裝廠需要電子束等級的精度來確保產品良率，這兩款新系統正是將晶圓廠驗證過的技術針對3D架構進行最佳化的豐碩成果。
