高啟全曾任長江存儲執行董事長，他表示，長江存儲是他當年帶領團隊逐步建立起來的企業，如今技術發展已有相當成果。他指出，長江存儲不僅具備自主技術實力，更已發展到能夠向三星、美光等國際大廠提供專利及技術授權的程度，顯示中國NAND Flash技術已具有國際競爭力。
高啟全強調，中國記憶體產業崛起的另一項優勢，在於企業能夠透過資本市場籌措大量資金，進一步投入技術研發與產能建置。他認為，隨著中國記憶體業者持續擴張，全球產業競爭格局可能出現變化，台灣及國際半導體業者都應審慎看待。
不過，高啟全也指出，中國在記憶體與邏輯晶圓代工領域的發展可能呈現不同走勢。他認為，中國未來在記憶體技術方面有機會領先，但邏輯晶圓代工受到極紫外光（EUV）微影設備取得限制，先進製程發展仍面臨挑戰。
談到中國積極發展的高頻寬記憶體（HBM），高啟全表示，中國業者目前已經做出相關產品。對於外界關注的良率問題，他認為良率可以隨著技術累積逐步改善，顯示他對中國HBM後續發展並不悲觀。不過，他並未進一步說明相關產品是否已達商業量產階段。
相較於對NAND Flash及HBM發展抱持正面看法，高啟全對中國業者推動的4F² DRAM架構則持保留態度。他指出，目前DRAM主要採用6F²單元架構，若要進一步縮小至4F²，將面臨電容結構占用空間及漏電等技術難題。
高啟全表示，DRAM由一個電晶體及一個電容組成，與NAND Flash的結構不同，若要在更小面積內整合電容，技術難度相當高。即使中國投入大量資源研發，他仍不看好現階段4F² DRAM技術能順利實現，直言「做不起來，我不認為可以做起來，這是我專業的看法」。
高啟全認為，記憶體與邏輯晶片製造具有不同的技術門檻，即使未來異質整合趨勢推動兩者結合，也不代表相關製造技術可以直接跨足。整體而言，他看好中國在NAND Flash及HBM領域的長期發展潛力，但對部分新世代DRAM架構能否突破技術限制，仍持審慎態度。
