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HBM並排走入歷史?三星zHBM打響3DIC首槍 這檔台股最受惠
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石於 SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇演講,展現三星以3D整合技術驅動 AI 時代的創新布局。圖/三星電子提供

HBM並排走入歷史?三星zHBM打響3DIC首槍 這檔台股最受惠

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2026/09/02 10:25:00最後更新 2026/09/02 10:25:39

記者:

謝承學

作為半導體界風向球的SEMICON Taiwan今天正式開展,記憶體大廠三星電子在記憶體高峰論壇上提出新的「zHBM」架構,過去在基板並排的2.5D架構迎來新風貌,除了三星在技術上迎來新突破外,法人也點名愛普*(6531)成最大潛在受惠者
半導體展SEMICON Taiwan掀起記憶體架構革命,記憶體大廠三星電子正式發表突破性的「zHBM」架構,宣告記憶體將打破過去在基板上並排的2.5D限制,邁向直接垂直堆疊在處理器之上的真3D整合時代。
法人表示,AI推論正在將運算瓶頸轉移至記憶體頻寬與數據傳輸,記憶體產業的價值創造已由微縮技術轉向架構級創新,並點名在晶圓對晶圓(WoW)堆疊領域布局已久的愛普*(6531)將成最大潛在受惠者。
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石在記憶體高峰論壇上演講指出,隨著產業邁向具備自主推理行動能力的代理型人工智慧(Agentic AI),系統高度依賴即時回應能力,現行將記憶體與處理器並排放置的2.5D架構已難以突破資料傳輸距離與能耗限制。為此三星提出包含容量、利用率、頻寬與效率的CUBE最佳化架構,以全新的zHBM重塑晶片互動方式,透過將記憶體垂直堆疊在處理器上方,大幅縮短互連距離,目標使效能最高提升8倍、每瓦效能提升3倍,並將困擾業界已久的熱阻大幅降低75%至90%。
業界看好,隨著長上下文與KV快取增長,每美元token數與每瓦tokens數已成為評估系統效能的關鍵指標,記憶體正式成為決定人工智慧系統效能的核心關鍵。
從三星推動的zHBM及廣泛的邏輯晶片堆疊動態來看,記憶體架構正全面由「運算晶片身旁」轉向「垂直整合」,這將使得混合鍵合(Hybrid Bonding)、晶圓對晶圓堆疊及散熱協同設計的重要性大幅提升。
崔璋石同時在論壇上強調,下世代的3D積體電路必須兼顧結構穩定與散熱設計,三星除了透過晶圓對晶圓鍵合突破線距限制,亦導入混合銅鍵合來壓低熱阻,並公開表示期待與台灣世界級半導體夥伴攜手合作。

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