針對外界關注的在先進封裝與矽光子布局方面，聯電展現出強烈決心。聯電執行長王石指出，先進封裝市場規模（TAM）預計到2030年將翻倍以上，聯電服務範疇已從2.5D中介層延伸至嵌入式深溝槽電容（DTC）、獨立DTC、3D晶圓對晶圓堆疊及記憶體堆疊。
王石指出，目前已有超過10家活躍客戶與超過35個新產品正在討論中，預計將於2026年及2027年初進行Tape-out。聯電明確定位自身為晶圓廠端先進封裝技術提供者，不會走向CoWoS這種完整封裝形態方案。在矽光子領域，聯電推出的12吋解決方案具備更佳的製程控制與高良率，搭配全球首個量產的薄膜鈮酸鋰（TFLN）技術，將可為客戶提供先進的光學輸入/輸出（Optical I/O）及共封裝光學（CPO）解決方案。
為因應強勁的長期需求，聯電董事會已核准新一輪資本支出與擴產計畫。新加坡Fab 12i的P4廠區將投資建置無塵室並購入設備以擴大矽光子產能。台南12A廠P7與P8廠區則正在建造廠房外殻，為先進封裝的長期擴充奠定基礎。由於新建廠房與擴產前置時間超過20個月，主要產能預計將於2028年底至2029年陸續釋放。財務長劉啟東補充，受新無塵室與廠房建設影響，未來2年折舊費用每年預計將呈現低十位數（約11%至13%）成長，雖折舊增加會對毛利率產生影響，但公司非常有信心呈現更高的獲利數字與EBITDA利潤率。
此外，關於與英特爾（Intel）在12奈米技術上的跨國合作，王石表示，目前整體合作進展相當順利，預計所有製程設計套件（PDK）將於2026年底準備就緒，客戶將於2027年開展產品設計並進行試產下單，較大規模的量產貢獻則預計在2028年顯著展現。聯電強調，該項合作採營收與利潤分成模式。
