在先進邏輯技術方面，台積電的3奈米（N3）系列如N3P、N3X、N3C已迅速成為運算應用的基礎，預期將是2026年主要的營收來源。 緊隨其後的2奈米平台擴展計畫正順利進行，除了N2已量產外，N2P預計在2026年下半年量產，後續還有N2X與針對能效優化的N2U將分別於2027年及2028年量產。 袁立本強調，A16技術整合了第二代NanoSheet元件與NanoFlex Pro技術，能在相同速度下降低25%至30%的功耗，目前在車用電子產品上的良率已展現優異成果。
A12技術的核心在於將SPR（背面供電技術）引進A14平台，預計在2029年推出，能提供更佳的效能與面積收益。 同年量產的A13則是A16的重要指標後續技術，計畫透過3%的光學縮小（Optical Shrink）來節省逾6%的面積。 袁立本特別提到，A13與A14的設計具有高度相容性，這將大幅降低客戶在製程轉換時的難度與成本，並能快速應用於下一代AI、高效能運算（HPC）及手機產品。
針對系統整合與封裝技術，袁立本揭露CoWoS技術將以每年更新的速度持續演進，目前5.5倍光罩尺寸的CoWoS已量產且良率達98%，預計2028年將推出可整合20個HBM的14倍光罩版本，2029年更將準備就緒整合達24個HBM的版本。 此外，系統級整合（SOW）技術中的SOW-X預計在2029年量產，能整合多達64個HBM。 在矽光子領域，台積電推出COUPE技術，其200Gbps微環調變器預計今年開始生產，透過光學共封裝（CPO）整合能提升10倍至20倍的能效表現。
在特殊製程與邊緣應用上，台積電亦有具體進展，車用製程N3A已通過驗證，後續N2A預計在2028年第一季通過車規驗證。 在無線傳輸與顯示驅動領域，N4C RF技術顯著降低功耗與面積。 至於嵌入式記憶體，台積電已成功量產28奈米與22奈米RRAM，並計畫在2026年底完成12奈米MRAM的開發。
