小晶片（Chiplet）和高頻寬記憶體 （HBM） 整合將需要更高的互連密度，以實現更高速的平行資料連接並保持訊號完整性。高密度互連是晶片整合的關鍵技術。隨著 AI 和 HPC 電力傳輸需求變得越來越複雜，迫切需要具備 TSV 的先進橋接晶片。VIPack™ FOCoS-Bridge 平台可嵌入被動和主動晶片，用於提高電源完整性並提供直接存取以增進效能。
日月光執行副總Yin Chang表示，從智慧製造系統、自動駕駛汽車，到下一代零售基礎設施和精準醫療診斷，AI日漸融入各種應用領域，推動運算需求和能源效率需求呈指數級增長。日月光推出具備 TSV 的 FOCoS-Bridge，彰顯日月光整合解決方案支持人工智慧生態系統的承諾。這項創新增強了 VIPack™產品組合，並針對可持續的高效能運算架構，提供了一個最佳化可擴展的高密度封裝平台。
目前已經實現由兩個相同的扇出模組組成的 85mm x 85mm 測試載具（Test Vehicle）—每個模組以四個TSV橋接晶片以及10個整合式被動元件晶片，橫向互連一個ASIC晶片和四個HBM3晶片。
結合傳統的橫向訊號連接，TSV 橋接晶片為電力傳輸提供更短的垂直路徑。 TSV 和被動元件皆嵌入在重佈線層（RDL），並以 5µm 線寬/線距的三層RDL互連。與FOCoS-Bridge 相比，FOCoS-Bridge TSV 的電阻和電感分別大幅降低了 72% 和 50%。
日月光研發處長李德章表示，HPC 和 AI 日益增長的應用加速了高運算效能需求，日月光 FOCoS-Bridge 可實現 SoC 和Chiplets與高頻寬記憶體的無縫整合。透過採用 TSV，FOCoS-Bridge 提高了運算和能源效率，並將先進封裝技術組合提升到一個新的水準。
FOCoS-Bridge 技術已經證明提供更高頻寬和更快資料傳輸速率的能力，以滿足 AI 和 HPC 應用。利用高度整合的扇出結構優勢，FOCoS-Bridge 突破傳統電性互連的侷限，實現處理器、加速器和記憶體模組之間的高速、低延遲、節能的資料通訊。除了可以在扇出型封裝中嵌入被動和主動晶片，FOCoS-Bridge 還提供了整合去耦合電容器的選項，用於優化電源傳輸，以及主動晶片用於特定功能（如內存、I/O 等）之間的互連。